3.multisim库

All <All groups>显示所有元件组，方便快速浏览和查找整个数据库中的元件。

Sources包含各种电源和信号源，如直流源、交流源、脉冲源、受控源等，为电路提供激励和能量。

Basic包含基础无源元件和通用器件，如电阻、电容、电感、开关、继电器、变压器等。

Diodes包含各种二极管及相关器件，如普通二极管、稳压二极管、LED、肖特基二极管、可控硅（SCR）、双向可控硅（TRIAC）等。

Transistors包含各种晶体管，如双极型晶体管（BJT）、场效应管（MOSFET、JFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、达林顿管等。

Analog包含模拟器件，如运算放大器（OPAMP）、比较器、仪表放大器、音频放大器、差分放大器等。

TTL包含基于晶体管 – 晶体管逻辑（Transistor-Transistor Logic）的数字集成电路，如与非门、触发器、计数器等。

CMOS包含基于互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）的数字集成电路，如逻辑门、微控制器、存储器等。

MCU包含微控制器（Microcontroller Unit）及其相关外设，用于嵌入式系统设计和仿真。

Advanced_Peripherals包含高级外设模块，如 LCD 控制器、以太网接口、USB 控制器等，用于复杂的嵌入式系统设计。

Misc Digital包含其他数字元件，如时钟发生器、分频器、锁相环（PLL）、数字信号处理器（DSP）等。

Mixed包含混合信号器件，如模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）、比较器、混合信号微控制器等。

Indicators包含各种显示和指示器件，如 LED、数码管、电压表、电流表、示波器探头等，用于直观观察电路状态。

Power包含功率器件和电源管理模块，如稳压器、DC-DC 转换器、功率开关、电池管理芯片等。

Misc包含其他各类杂项元件，如传感器、连接器、保险丝、跳线等，用于完善电路设计。

RF包含射频（Radio Frequency）器件，如天线、滤波器、混频器、功率放大器、射频开关等，用于射频和微波电路设计。

Electro_Mechanical包含机电元件，如电机、继电器、开关、传感器等，用于机电一体化系统仿真。

Ladder_Diagrams包含梯形图编程元件，用于可编程逻辑控制器（PLC）的梯形图设计和仿真。

Connectors包含各种连接器和插座，如排针、排母、USB 接口、以太网接口等，用于电路连接和扩展。

NI_Components包含 National Instruments 公司提供的专用元件和模块，如 NI 数据采集卡、LabVIEW 接口模块等。

POWER_SOURCES（功率电源）提供电路所需的直流或交流功率，用于给整个电路供电，例如 +5V、±12V 直流电源、交流市电电源等。

SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES（信号电压源）提供电压型激励信号，用于驱动电路输入，如正弦波、方波、脉冲信号等，常见于信号发生器、测试激励。

SIGNAL_CURRENT_SOURCES（信号电流源）提供电流型激励信号，输出恒定或随时间变化的电流，常用于驱动需要电流输入的电路或模拟传感器。

CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES（受控电压源）输出电压受电路中其他节点电压或支路电流控制，如电压控制电压源（VCVS）、电流控制电压源（CCVS），用于模拟放大器、反馈网络等。

CONTROLLED_CURRENT_SOURCES（受控电流源）输出电流受电路中其他节点电压或支路电流控制，如电压控制电流源（VCCS）、电流控制电流源（CCCS），用于模拟晶体管、运算放大器等有源器件。

CONTROL_FUNCTION_BLOCKS（控制功能块）提供数学运算、逻辑控制等功能模块，用于构建复杂的控制逻辑或信号处理电路，如加法器、乘法器、比较器等。

DIGITAL_SOURCES（数字信号源）提供数字电路所需的数字激励信号，如时钟信号、高低电平、数字脉冲等，用于驱动数字芯片和逻辑电路。

<All families>（所有元件）显示当前组下的所有元件，方便快速浏览和查找。

BASIC_VIRTUAL（基础虚拟元件）提供可自由修改参数的虚拟元件，如电阻、电容、电感等，常用于快速搭建电路和初步仿真，不对应真实器件型号。

RATED_VIRTUAL（额定虚拟元件）带有额定功率、电压等参数的虚拟元件，可模拟真实器件的额定限制，用于验证电路在额定条件下的工作状态。

3D_VIRTUAL（3D 虚拟元件）支持 3D 视图的虚拟元件，可在 3D PCB 视图中查看和布局，方便进行机械结构和空间布局设计。

RPACK（电阻排）由多个电阻集成在一个封装内的元件，常用于需要多个相同阻值电阻的电路，如分压网络、上拉 / 下拉电阻阵列。

SWITCH（开关）用于控制电路通断的元件，包括单刀单掷（SPST）、单刀双掷（SPDT）等类型，可手动或通过信号控制切换。

TRANSFORMER（变压器）实现电压变换和电气隔离的元件，用于电源设计、信号耦合等场景，支持理想变压器和带损耗的实际模型。

NON_IDEAL_RLC（非理想 RLC 元件）考虑寄生参数（如电阻、电感、电容的串联电阻、电感）的元件模型，更贴近真实器件的行为，用于高精度仿真。

Z_LOAD（阻抗负载）可自定义阻抗特性的负载元件，用于模拟传输线、天线等复杂负载，常用于射频和高速电路设计。

RELAY（继电器）用小电流控制大电流的电磁开关元件，常用于隔离控制、功率切换等场景，支持线圈驱动和触点切换仿真。

SOCKETS（插座）用于连接和插拔器件的元件，如 IC 插座、连接器，方便电路调试和器件更换。

SCHEMATIC_SYMBOLS（原理图符号）提供各种原理图符号，如接地、电源、测试点等，用于规范电路原理图的绘制。

RESISTOR（电阻器）限制电流、分压的元件，有固定阻值和多种功率等级，是电路中最基础的元件之一。

CAPACITOR（电容器）存储电荷、滤波、耦合的元件，有陶瓷、电解、薄膜等类型，用于电源滤波、信号耦合等。

INDUCTOR（电感器）存储磁场能量、滤波、扼流的元件，常用于电源滤波、谐振电路等。

CAP_ELECTROLIT（电解电容）具有极性的大容量电容，常用于电源滤波、储能，注意正负极连接。

VARIABLE_RESISTOR（可变电阻）阻值可调节的电阻，如电位器，用于分压、调节增益等。

VARIABLE_CAPACITOR（可变电容）容量可调节的电容，用于调谐、滤波等。

VARIABLE_INDUCTOR（可变电感）电感量可调节的元件，用于谐振电路、阻抗匹配等。

POTENTIOMETER（电位器）三端可变电阻，常用于分压、音量调节、增益控制等。

MANUFACTURER_CAPACITOR（厂商电容）来自具体厂商的电容模型，包含精确的参数和封装信息，用于贴近实际生产的设计。

<All families>（所有元件）显示当前组下的所有二极管及相关元件，方便快速浏览和查找。

DIODES_VIRTUAL（虚拟二极管）可自由修改参数的虚拟二极管模型，用于快速搭建电路和初步仿真，不对应真实器件型号。

DIODE（普通二极管）最基础的二极管，具有单向导电性，用于整流、限幅、检波等场景，是电路中最常用的二极管类型。

ZENER（齐纳二极管 / 稳压二极管）工作在反向击穿区，可提供稳定的参考电压，常用于稳压电路、电压基准和过压保护。

SWITCHING_DIODE（开关二极管）具有快速开关特性，导通和截止速度快，用于高频开关、数字逻辑和高速整流电路。

LED（发光二极管）通电时发光，用于指示灯、显示和照明，仿真中可直观观察电路状态。

PHOTODIODE（光电二极管）受光照时产生电流，用于光检测、光通信和光敏传感器，可模拟光信号到电信号的转换。

PROTECTION_DIODE（保护二极管）用于电路保护，如 TVS 二极管，可吸收浪涌电压，防止静电和过压损坏器件。

FWB（全波整流桥）由四个二极管集成的整流模块，将交流电转换为直流电，常用于电源电路。

SCHOTTKY_DIODE（肖特基二极管）具有低正向压降和高速开关特性，用于高频整流、低压差应用和开关电源。

SCR（可控硅 / 晶闸管）半控型功率器件，通过触发信号控制导通，用于大功率开关、调光和电机控制。

DIAC（双向触发二极管）双向导通的触发器件，常用于触发双向可控硅（TRIAC），用于交流调压和调光电路。

TRIAC（双向可控硅）双向导通的功率器件，可控制交流电流的导通，用于交流开关、调光和电机控制。

VARACTOR（变容二极管）电容随反向电压变化的二极管，用于调谐电路、压控振荡器和频率合成。

TSPD（瞬态抑制二极管）快速响应的过压保护器件，可吸收瞬态浪涌，保护敏感电子元件。

PIN_DIODE（PIN 二极管）具有本征层的特殊二极管，用于射频开关、衰减器和微波控制电路。

<All families>（所有元件）显示当前组下的所有晶体管及相关元件，方便快速浏览和查找。

TRANSISTORS_VIRTUAL（虚拟晶体管）可自由修改参数的虚拟晶体管模型，用于快速搭建电路和初步仿真，不对应真实器件型号。

BJT_NPN（NPN 型双极型晶体管）最常用的双极型晶体管之一，由 N 型半导体和 P 型半导体交替构成，用于放大、开关和振荡电路。

BJT_PNP（PNP 型双极型晶体管）与 NPN 互补的双极型晶体管，常用于互补对称放大电路（如推挽输出）和负电源电路。

BJT_COMP（互补 BJT 对）包含配对的 NPN 和 PNP 晶体管，用于需要对称特性的电路，如差分放大器、推挽输出级。

DARLINGTON_NPN（NPN 达林顿管）由两个 NPN 晶体管级联而成，提供极高的电流增益，常用于大电流驱动和开关应用。

DARLINGTON_PNP（PNP 达林顿管）由两个 PNP 晶体管级联而成，与 NPN 达林顿管互补，用于负电源侧的大电流驱动。

BJT_NRES（N 型电阻集成 BJT）集成了基极或发射极电阻的 NPN 晶体管，用于简化偏置电路，提高稳定性。

BJT_PRES（P 型电阻集成 BJT）集成了基极或发射极电阻的 PNP 晶体管，与 NRES 互补，用于负电源侧的偏置电路。

BJT_CRES（互补电阻集成 BJT）集成了电阻的互补 NPN/PNP 晶体管对，用于需要对称偏置的差分放大电路。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通压降特性，用于大功率开关和电机驱动。

MOS_DEPLETION（耗尽型 MOSFET）在零栅压下即可导通的 MOSFET，用于恒流源、负载电阻和开关电路。

MOS_ENH_N（N 沟道增强型 MOSFET）最常用的 MOSFET 类型，需要正向栅压才能导通，用于数字逻辑、开关电源和功率放大。

MOS_ENH_P（P 沟道增强型 MOSFET）与 N 沟道 MOSFET 互补，需要负向栅压导通，用于互补对称电路和负电源侧开关。

MOS_ENH_COMP（互补增强型 MOSFET 对）包含配对的 N 沟道和 P 沟道增强型 MOSFET，用于 CMOS 逻辑、推挽输出和功率放大。

JFET_N（N 沟道场效应管）结型场效应管，具有高输入阻抗和低噪声特性，用于音频前置放大、信号缓冲。

JFET_P（P 沟道场效应管）与 N 沟道 JFET 互补，用于负电源侧的放大和开关电路。

POWER_MOS_N（N 沟道功率 MOSFET）专为大功率应用设计的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流能力，用于电源转换和电机驱动。

POWER_MOS_P（P 沟道功率 MOSFET）与 N 沟道功率 MOSFET 互补，用于负电源侧的大功率开关和驱动。

POWER_MOS_COMP（互补功率 MOSFET 对）包含配对的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，用于大功率推挽输出和桥式电路。

UJT（单结晶体管）具有负阻特性的特殊晶体管，用于弛豫振荡器、定时电路和触发电路。

THERMAL_MODELS（热模型）考虑了温度对晶体管参数影响的模型，用于高精度仿真，评估器件在不同温度下的性能和可靠性。

<All families>（所有元件）显示当前组下的所有模拟器件，方便快速浏览和查找。

ANALOG_VIRTUAL（虚拟模拟器件）可自由修改参数的虚拟模拟元件，如运算放大器、比较器等，用于快速搭建电路和初步仿真，不对应真实器件型号。

OPAMP（运算放大器）高增益的直流耦合放大器，是模拟电路的核心，广泛用于信号放大、滤波、积分、微分、比较等场景。

OPAMP_NORTON（诺顿运算放大器）基于诺顿模型的运算放大器，输出为电流而非电压，适用于电流模式控制和特定的信号处理应用。

COMPARATOR（比较器）用于比较两个输入电压的大小，输出高 / 低电平，常用于阈值检测、波形整形和模数转换。

DIFFERENTIAL_AMPLIFIERS（差分放大器）放大两个输入信号的差值，抑制共模信号，常用于高精度测量、传感器接口和抗干扰设计。

WIDEBAND_AMPS（宽带放大器）具有宽频带响应的放大器，适用于高频信号处理、射频前端和高速数据采集。

AUDIO_AMPLIFIER（音频放大器）专为音频信号优化的放大器，注重低噪声、低失真和足够的输出功率，用于音响、耳机驱动等。

CURRENT_SENSE_AMPLIFIERS（电流检测放大器）用于精确检测和放大电路中的电流信号，常用于电源管理、过流保护和负载监控。

INSTRUMENTATION_AMPLIFIERS（仪表放大器）高输入阻抗、高共模抑制比的差分放大器，专为高精度测量设计，广泛用于工业仪表和传感器接口。

SPECIAL_FUNCTION（特殊功能器件）包含各种专用模拟功能模块，如对数放大器、乘法器、滤波器等，用于实现复杂的信号处理功能。