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相控阵天线(3)——平面相控阵天线原理

1.平面阵列概念

        平面阵列是线性阵列的自然延伸。平面阵列具有很多配置,取决于单元的间隔和所定义“网格”的分布。例子包括矩形的、圆形边界矩形的、圆形边界六边形的、圆形的、同轴圆形的网格,如图1所示。

图1  平面网格阵列

2.矩形网格阵列

      平面阵列可以在仰角和方位\\left( {\\theta ,\\phi } \\right)上扫描,图2所示为矩形网格阵列。沿着x方向和y方向的单元间隔各自表示为{d_x}{d_y}。通过《相控阵天线(1)——天线参数及一维线性阵列天线原理_相控阵的天线增益-CSDN博客》中对一维线性阵列天线的理论分析,可推导任意平面天线在远场观测点处总的电场表达为:

E(\\theta ,\\phi ) = \\sum\\limits_{i = 0}^{N - 1} {​{I_i}} {e^{j{\\psi _i}(\\theta ,\\phi )}} (1)

       假设平面阵列由N \\times M个天线单元组成,每个单元在x-y平面上按矩形网格排列,坐标为\\left( {n \\times {d_x},m \\times {d_y}} \\right)\\left( {n = 0,1, \\cdots ,N - 1;m = 0,1, \\cdots ,M - 1} \\right) ,如图2所示。设第\\left( {n,m} \\right)个单元的激励电流为{I_{n,m}},相邻单元之间相位延迟为\\Delta {\\varphi _{n,m}},则远场观测点处的电场可线性分解为它的x、y分量。可以得到单元沿着x、y方向分布的电场分量为:

{E_x}(\\theta ,\\phi ) = \\sum\\limits_{n = 0}^{N - 1} {​{I_n}} {e^{jn\\left( {k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi - \\Delta {\\varphi _n}} \\right)}} (2)
{E_y}(\\theta ,\\phi ) = \\sum\\limits_{m = 0}^{M - 1} {​{I_m}} {e^{jm\\left( {k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi - \\Delta {\\varphi _m}} \\right)}} (3)

其中,k = 2\\pi /\\lambda为波数,\\theta为仰角,\\phi 为方位角,\\Delta {\\varphi _n}为相邻单元之间在x方向上的相位延迟,\\Delta {\\varphi _m}为相邻单元之间在y方向上的相位延迟。则远场观测点处的总电场表示为各单元电场的矢量叠加:

\\begin{array}{l} E(\\theta ,\\phi ) = {E_x}(\\theta ,\\phi ){E_y}(\\theta ,\\phi )\\\\ = \\left( {\\sum\\limits_{n = 0}^{N - 1} {​{I_n}} {e^{jn\\left( {k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi - \\Delta {\\varphi _n}} \\right)}}} \\right)\\left( {\\sum\\limits_{m = 0}^{M - 1} {​{I_m}} {e^{jm\\left( {k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi - \\Delta {\\varphi _m}} \\right)}}} \\right) \\end{array} (4)

图2  平面矩形阵列示意图

       矩形阵列的单程强度方向图等于各自方向图的乘积。根据《相控阵天线(1)——天线参数及一维线性阵列天线原理_相控阵的天线增益-CSDN博客》中公式(15)可知,对于均衡的激励{I_n} = {I_m},可得:

\\left| {E(\\theta ,\\phi )} \\right| = \\frac{1}{N}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {N(k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi - \\Delta {\\varphi _n})/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {(k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi - \\Delta {\\varphi _n})/2} \\right)}}} \\right| \\cdot \\frac{1}{M}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {M(k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi - \\Delta {\\varphi _m})/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {(k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi - \\Delta {\\varphi _m})/2} \\right)}}} \\right| (5)

3.矩形网格阵列相控阵天线方向图特性分析

       辐射方向图的最大值、零点、副瓣、栅瓣在x轴、y轴上的计算和线性阵列的情况是相似的。另外,栅瓣控制的同样条件是可以应用的。注意,角度是对称的。以下结合《相控阵天线(2)一维线性阵列特性-CSDN博客》的内容,对平面相控阵天线方向图特性进行分析。

①波束调向

       当式(5)中k{d_x}\\sin {\\theta _0}\\cos {\\phi _0} - \\Delta {\\varphi _n} = 0, k{d_y}\\sin {\\theta _0}\\cos {\\phi _0} - \\Delta {\\varphi _m} = 0时,函数取得最大值1,此时可得到[\\left| {E\\left( {\\theta ,\\phi } \\right)} \\right|天线方向图的最大值,能量集中的最强波瓣,即主瓣,此时相位延迟∆φn,m需满足:

\\begin{array}{l} \\Delta {\\varphi _n}{\\rm{ = }}k{d_x}{\\rm{sin}}{\\theta _0}\\cos {\\phi _0}\\\\ \\Delta {\\varphi _m}{\\rm{ = }}k{d_y}{\\rm{sin}}{\\theta _0}\\sin {\\phi _0} \\end{array} (6)

 

②波束宽度

      将波数k = 2\\pi /\\lambda以及式(6)中\\Delta {\\varphi _{n,m}}与波束指向之间的关系代入原式(5)中,可得:

\\left| {E(\\theta ,\\phi )} \\right| = \\frac{1}{N}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {Nk{d_x}(\\sin \\theta \\cos \\phi - \\sin {\\theta _0}\\cos {\\phi _0})/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {k{d_x}(\\sin \\theta \\cos \\phi - \\sin {\\theta _0}\\cos {\\phi _0})/2} \\right)}}} \\right| \\cdot \\frac{1}{M}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {Mk{d_y}(\\sin \\theta \\sin \\phi - \\sin {\\theta _0}\\sin {\\phi _0})/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {k{d_y}(\\sin \\theta \\sin \\phi - \\sin {\\theta _0}\\sin {\\phi _0})/2} \\right)}}} \\right| (7)

波束指向为天线阵面法线方向时的宽度,这时{\\theta _0} = 0,{\\phi _0} = 0,即\\Delta {\\varphi _{n,m}} = 0,为各阵元等幅同相馈电情况。由式(4)可得方向性函数为

\\left| {E(\\theta ,\\phi )} \\right| = \\frac{1}{N}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {N(k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi )/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {(k{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi )/2} \\right)}}} \\right| \\cdot \\frac{1}{M}\\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {M(k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi )/2} \\right)}}{​{\\sin \\left( {(k{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi )/2} \\right)}}} \\right| (8)

      通常情况下,波束很窄,\\left| \\theta \\right|\\left| \\phi \\right|很小,\\cos \\phi \\approx 1\\sin \\left( a \\right) \\approx a,在 x 、y方向,上式变为:

\\left| {​{E_x}(\\theta ,\\phi )} \\right| = \\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {\\frac{​{\\pi N{d_x}}}{\\lambda }\\sin \\theta } \\right)}}{​{\\frac{​{\\pi N{d_x}}}{\\lambda }\\sin \\theta }}} \\right| (9)
\\left| {​{E_y}(\\theta ,\\phi )} \\right| = \\left| {\\frac{​{\\sin \\left( {\\frac{​{\\pi M{d_y}}}{\\lambda }\\sin \\theta \\sin \\phi } \\right)}}{​{\\frac{​{\\pi M{d_y}}}{\\lambda }\\sin \\theta \\sin \\phi }}} \\right| (10)

上式近似为辛克(sinc)函数,当取\\sin {\\mathop{\\rm c}\\nolimits} \\left( A \\right) = 0.707(即A = 1.39)时,得到天线波瓣的半功率点位置,在 x 方向,半功率波束宽度\\theta _{3x}近似为:

{\\theta _{3x}} \\approx \\frac{​{0.886}}{​{N{d_x}}}\\lambda (rad) \\approx \\frac{​{50.8}}{​{N{d_x}}}\\lambda (^\\circ ) (11)

       y 方向半功率波束宽度{\\phi _{3y}}公式类似: 

{\\phi _{3y}} \\approx \\frac{​{0.886}}{​{M{d_y}{\\rm{sin}}{\\theta _0}}}\\lambda (rad) \\approx \\frac{​{50.8}}{​{M{d_y}{\\rm{sin}}{\\theta _0}}}\\lambda (^\\circ ) (12)

表明增大阵列规模\\left( {N,M} \\right)或减小扫描角{\\theta _0}可压缩波束宽度,提高方向性。

③旁瓣与栅瓣

       理想情况下,平面相控阵可在\\theta \\in \\left[ {0,{​{90}^ \\circ }} \\right]\\phi \\in \\left[ {0,{​{360}^ \\circ }} \\right]范围内扫描,但实际受很多因素限制。当扫描角增大{\\theta _0}时,等效单元间距在波前方向的投影增大,易激发栅瓣。通常要求扫描范围内{d_x}\\sin \\theta \\cos \\phi \\le \\lambda /2{d_y}\\sin \\theta \\sin \\phi \\le \\lambda /2,限制最大扫描角约为 60°~70°。

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