网硕互联帮助中心LDO选型关键指标
压差需满足V<sub>IN</sub> – V<sub>OUT</sub> ≥ Dropout，典型场景选AMS1117-3.3（压差1.2V） 静态电流应小于系统待机电流的10%，低功耗场景推荐HT7333（IQ=4μA） 散热能力按P<sub>diss</sub> = (V<sub>IN</sub>-V<sub>OUT</sub>)×I<sub>LOAD</sub>计算，避免SOT-23封装在高功耗场景使用
PSRR选择需匹配系统频率，高速系统要求≥20dB@1MHz，推荐TPS7A47（70dB@1MHz）
散热设计计算
结温计算公式： T<sub>J</sub> = T<sub>A</sub> + (P<sub>diss</sub> × θ<sub>JA</sub>) 实例：5V转3.3V@500mA时，SOT-223封装θ<sub>JA</sub>=50℃/W，结温67.5℃；SOT-23封装θ<sub>JA</sub>=220℃/W，结温212℃
电容配置方案
输入侧配置10-100μF电解电容，距离LDO≤2cm 输出侧采用10μF+0.1μF陶瓷电容并联，优先0402/0603封装 高频噪声抑制使用三端电容（如Murata NFM18 100nF）
PCB布局规范
电流环路最小化：输入电容→LDO→输出电容形成三角形布局 地平面必须完整连续，禁止分割 四层板层叠结构： Layer1：信号线+关键电源 Layer2：完整地平面 Layer3：电源平面 Layer4：低速信号线
纹波抑制措施
π型滤波器设计： f<su
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