NOR FLASH 层级架构详解：从 Page 到整个芯片

1. NOR FLASH 概念

Concept & Fundamentals

NOR Flash 是一种非易失性（掉电不丢数据）的浮栅型半导体存储器，属于 Flash 存储的两大主流之一（另一类是 NAND Flash）。它得名于其存储单元阵列的电路连接方式——各单元与位线呈“或非”逻辑结构（NOR 门），因此能实现按字节随机寻址读取。

工作原理

每个存储单元的核心是一个浮栅晶体管（Floating-gate MOSFET），浮栅悬浮于控制栅与沟道之间，被氧化层电隔离。

• 编程（写入 0）：在控制栅加高电压，电子隧穿进浮栅。浮栅带负电荷 → 阈值电压 Vth 升高 → 读时导通电流小 → 逻辑“0”。
• 擦除（恢复 1）：在源极/衬底加高电压，电子被拉出浮栅。阈值电压降低 → 读时导通 → 逻辑“1”。
• 读出：加读电压，检测单元是否导通，区分 0 / 1。

核心特性

• 随机读：可按任意字节地址直接读取，无需按块加载——这是与 NAND 的本质差异。
• XIP 支持：支持 Execute in Place（片上执行），代码可直接从 Flash 运行，常用于固件/启动代码存储。
• 写前必须先擦：只能把 1 写成 0（编程），要把 0 变回 1 必须整块擦除。
• 读快写慢：读取速度快，编程/擦除慢且按页/扇区/块为单位。
• 有限寿命：每单元有擦写次数上限（典型 1 万~10 万次）。

典型容量

1Mbit ~ 512Mbit，面向代码存储与低密度数据

典型接口</